新小说

手机浏览器扫描二维码访问

第2615章 存储技术的飞跃（第2页）

“这是前几天就发出来的了。我怎么没有发现？”

刘若菲凑过来，看了一眼，脸上顿时写满了惊讶。

“我的天，东洋人在的实验室已经堆叠出了8层。”

“这篇《3D NAND：堆叠式闪存结构的可行性研究》，真的是前几天出来的？”

李建笑了笑。

“当然了。不过，他们的想法比我晚了一年多。去年我就提出来了。只是，晶晶和楚博士都不怎么重视。”

刘若菲有点坐不住了。

“不行，我都坐不住了。我想去娜娜那边看看。她们在实验室的工作。看能不能比鬼子还多堆叠几层。”

李建摇了摇头。

“娜娜已经飞回滨海了。现在估计已经到了高科技公司。不过不用担心，我们的天才少年们更厉害，他们肯定能够比东洋人更快取得成功。”

高晴的数学和物理都非常好，因此马上在草稿纸上进行推算。

“我的天，如果堆叠成功，那未来，堆叠128层，一块芯片就能存储500多G 的容量。那一块固态硬盘容量，就是现在最高端的几十倍。”

李建笑了笑。

“我的目标是，让堆叠层数达到300层，如此，一块芯片就能存储1T的容量。比你的目标，还要高一点。”

“真的可行？功耗呢，会不会高很多？”

李建摇了摇头。

“功耗还得降低。放心好了，我相信高科技公司那边的天才们。”

这时候，苏婉推门进来。

“咦？你们三人在密谋什么呢？攻打南天门？”

苏婉显然很高兴。